首页> 外文OA文献 >Development of XRMF techniques for measurement of multi-layer film thicknesses on semiconductors for VLSI and ULSI integrated circuits. Final CRADA report for CRADA number Y-1292-0130

【2h】

Development of XRMF techniques for measurement of multi-layer film thicknesses on semiconductors for VLSI and ULSI integrated circuits. Final CRADA report for CRADA number Y-1292-0130

机译：开发用于测量VLsI和ULsI集成电路半导体多层膜厚度的XRmF技术。 CRaDa编号Y-1292-0130的最终CRaDa报告

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Carpenter, D.A.; Golijanin, D.L.; Wherry, D.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1997
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Metallization technology for tenth-micron range integrated circuits. CRADA final report for CRADA number ORNL92-0104 [O] . Berry, L.A., Gorbatkin, S.M., Rossnagel, S.M., 1996

机译：用于第十微米范围集成电路的金属化技术。 CRaDa最终报告为CRaDa编号ORNL92-0104

Development of XRMF techniques for measurement of multi-layer film thicknesses on semiconductors for VLSI and ULSI integrated circuits. Final CRADA report for CRADA number Y-1292-0130

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅